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近日，兆驰半导体、长春希达、第三代半导体征询院、海目星、罗化芯、隆利科技、旭显异日等企业纷纷公布最新Micro LED或LED背光专利信息，波及外延结构相配制备枢纽、发光芯片测试枢纽、缔造枢纽与缔造开荒、芯片封装体相配制备枢纽、高慢面板相配形成枢纽、巨量鼎新等方面。

兆驰半导体：一种高空穴注入效力Micro-LED外延结构相配制备枢纽

江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“一种高空穴注入效力Micro-LED外延结构相配制备枢纽”的发明专利，肯求公布号为CN118899378A，肯求公布日为2024月11月5日，发明东谈主为舒俊、程龙、高虹、郑文杰、张彩霞、刘春杨、胡加辉、金从龙。

专利选录：本发明公开了一种高空穴注入效力Micro‑LED外延结构相配制备枢纽，波及半导体本事规模。本发明的Micro‑LED外延结构包括大批子阱发光层、多阶P型空穴注入增强层和P型半导体层；多阶P型空穴注入增强层包括第一阶空穴注入增强层、第二阶空穴注入增强层和第三阶空穴注入增强层；第一阶空穴注入增强层包括第一AlGaN层和第一InGaN层；第二阶空穴注入增强层包括第二AlGaN层和第二InGaN层，第二InGaN层中掺杂有Mg；第三阶空穴注入增强层包括第三AlGaN层、第三InGaN层和第四InGaN层，第三InGaN层和第四InGaN层等折柳掺杂有Mg。本发明高空穴注入效力的Micro‑LED外延结构，可显耀提高P型半导体层的空穴注入效力并改善大批子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度，从而提高Micro‑LED芯片在低责任电流密度下的光效。

据悉，江西兆驰半导体有限公司为深圳市兆驰股份有限公司在江西省南昌市高新本事产业区缔造的全资子公司，注册资金为16 亿元，总投资 100 亿元，是一家专科从事 LED 外延片和芯片集研发坐褥为一体的国度级高新 本事企业，园区占地约 500 亩，一期厂房、研发及配套建筑面积约 35 万多平方米。 母公司深圳市兆驰股份波及传统 液晶电视、智能家居、LED全产业链、互联网影视传媒等。公司 LED产业链袒护LED 芯片、封装、COB 直显应用与Mini LED背光电视等。

兆驰半导体：用于Micro-LED的外延结构相配制备枢纽

江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“用于Micro-LED的外延结构相配制备枢纽”的发明专利，肯求公布号为CN118888657A，肯求公布日为2024月11月1日，发明东谈主为胡加辉、郑文杰、程龙、高虹、刘春杨、金从龙。

专利选录：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延结构相配制备枢纽、Micro‑LED，波及半导体光电器件规模。其中，外延结构纪律包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、大批子阱层、空穴输运层和P型GaN层；大批子阱层包括轮流层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层为InxGa1‑xN层，所述量子垒层包括纪律层叠的InyGa1‑yN层、AlzGa1‑zN层和BwGa1‑wN层；x＞y；所述量子垒层的厚度＜10nm；所述空穴输运层包括纪律层叠的AlαGa1‑αN层、BβGa1‑βN层和AlN层；w＞α＞β。推论本发明，可进步Micro‑LED在低电流密度下的光效，进步其高慢效果。

长春希达：一种Micro-LED发光芯片测试枢纽

长春希达电子本事有限公司肯求一项名为“一种Micro-LED发光芯片测试枢纽”的发明专利，肯求公布号为CN118884188A，肯求公布日为2024月11月1日，发明东谈主为郑喜凤、陈煜丰、毛新越、曹慧、汪洋、苗静、张曦。

专利选录：一种Micro‑LED发光芯片测试枢纽，波及Micro‑LED高慢本事规模，管制现存接管TFT的AM驱动本事驱动Micro‑LED高慢器时，由于TFT和LED的性能互异会酿成红绿蓝LED亮度匹配不均酿成灰渡过度不均匀以及亮度不均匀性的问题。枢纽通过基于PCB基板野心Micro‑LED测试阵列模组，阵列里面接管并联形态将LED阵列连络，外部接管电压源径直驱动形态保证加载到每颗LED上的电压是一致的。通过测试红绿蓝三基色Micro‑LED阵列模组从0灰阶到255灰阶的数据电压测度得红绿蓝模组最小灰阶电压的协议数以及Micro‑LED白场最小的灰阶品级。本发明适用于Micro‑LED高慢规模。

据了解，长春希达电子本事有限公司成立于2001年, 依托于中科院长春光机所建立，集研发、坐褥、销售、事业及征询生培养为一体的企业， 是专科从事革命性本事征询的LED高慢与LED照明家具制造商。

第三代半导体征询院：Micro-LED器件相配制备枢纽

江苏第三代半导体征询院有限公司肯求一项名为“Micro-LED器件相配制备枢纽”的发明专利，肯求公布号为CN118867068A，肯求公布日为2024月10月29日，发明东谈主为王阳。

专利选录：本发明公开一种Micro‑LED器件相配制备枢纽，该枢纽包括在衬底前纪律形成层叠的N型层、第一发光结构和第一介质层；去除上述膜层的一部分，形成远离漫衍的第一卓绝、第一凹槽、第二卓绝、第二凹槽和第三卓绝；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介质层；去除至少部分第一介质层和部分第二介质层、暴露第一发光结构并形成第一孔，并形成第一P电极；去除第一凹槽上的第二介质层，在第一凹槽槽底纪律形成第二发光结构和第二P电极；去除第二凹槽上的第二介质层，并形成第三发光结构和第三P电极；去除第三卓绝、第三卓绝名义的第一介质层和第二介质层，暴露N型层并N电极。接管该决策，保证颜色的皑皑度和亮度均匀性，改善发光效力低下和颜料一致性差的问题。

江苏第三代半导体征询院有限公司（以下简称征询院）于2019年7月注册于苏州工业园区，所以商场化机制初始的新式研发机构。征询院以训诲发展第三代半导体本事应用产业为方针，聚焦第三代半导体在新式高慢、5G 通讯、电力电子、环境与健康等规模的应用，开展第三代半导体高质料材料制备本事、器件外延本事、芯片工艺本事、应用模块野心与集成本事、关连装备本事等环节共性本事研发和后果鼎新漂浮，建立袒护第三代半导体全产业链条、全体系的革命平台，杀青本事、东谈主才、后果等资源的可抓续供给和配套智商，加速第三代半导体产业的汇注发展，鼓励基础征询、应用征询和产业的有机和会。

海目星：Micro-LED缔造枢纽与缔造开荒

海目星激光科技集团股份有限公司肯求一项名为“Micro-LED缔造枢纽与缔造开荒”的发明专利，肯求公布号为N118848253A，肯求公布日为2024月10月29日，发明东谈主为徐念、李兵、谭宝。

专利选录：本发明公开了一种Micro‑LED缔造枢纽与缔造开荒，缔造开荒包括撑抓架、激光加工拼安装、物镜组件、Z轴模组和T轴模组，所述物镜组件沿T轴主义滑动连络于所述撑抓架上，所述T轴模组用于驱动所述物镜组件迁徙，以使物镜组件中不同倍率的物镜迁徙至激光加工拼安装射出激光的同轴位置，所述激光加工拼安装沿Z轴主义滑动连络于所述撑抓架上，所述Z轴模组用于驱动所述撑抓架迁徙，以调遣所述物镜组件在Z轴主义的位置；缔造枢纽接管上述缔造开荒杀青Micro‑LED的缔造。本发明通过不同倍率物镜的选拔以及物镜高度的调遣来自动追焦，从而提高加工的精度，同期提高加工效力。

海目星激光科技集团股份有限公司总部位于深圳，现存海目星（江门）激光智能装备有限公司、海目星激光智能装备（江苏）有限公司、海目星激光智能装备（成王人）有限公司等多家全资子公司。海目星激光一直以来深耕激光和自动化规模，主要从事锂电、光伏、消费电子、钣金加工、先进高慢等行业激光及自动化开荒的研发、野心、坐褥及销售，在激光、自动化和智能化概述期骗规模已形成较强的上风。

罗化芯：一种多Micro-LED芯片封装体相配制备枢纽

罗化芯高慢科技开发（江苏）有限公司肯求一项名为“一种多Micro-LED芯片封装体相配制备枢纽”的发明专利，肯求公布号为CN118867073A，肯求公布日为2024月10月29日，发明东谈主为李雍、刘斌、瞿澄、陈文娟。

专利选录：本发明波及一种多Micro‑LED芯片封装体相配制备枢纽，波及半导体高慢本事规模。在本发明的多Micro‑LED芯片封装体的制备枢纽中，通过优化第一氧化锆钝化层、第二氧化锆钝化层以录取三氧化锆钝化层的制备工艺，使得各氧化锆钝化层的名义为梗概结构，进而在后续形成各金属层时，不错灵验提高二者的聚积性能，进而不错灵验幸免各金属层剥离，且通过形成第一金属层、第二金属层以录取三金属层，为各Micro‑LED芯片与第二电极之间提供多条导电通路，在后续的使用历程中，即使某一个导电通路发生断路，这也不妨碍各Micro‑LED芯片的平方使用。

罗化芯：一种Micro-LED高慢面板相配形成枢纽

罗化芯高慢科技开发（江苏）有限公司肯求一项名为“一种Micro-LED高慢面板相配形成枢纽”的发明专利，肯求公布号为CN118867074A，肯求公布日为2024月10月29日，发明东谈主为李雍、刘斌、瞿澄、陈文娟。

专利选录：本发明波及一种Micro‑LED高慢面板相配形成枢纽，波及半导体高慢本事规模。在本发明的Micro‑LED高慢面板的形成枢纽中，通过在第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行罗列的条形透明导电凸块，接着形成第二透明导电层，且竖立第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，第二透明导电层为氧化铟锡，通过上述竖立，不错大大提高电流的扩散性能，进而不错提高Micro‑LED单位的发光性能。

求是高级征询院：Micro-LED高慢芯片制备枢纽及Micro-LED高慢芯片

江西求是高级征询院肯求一项名为“Micro-LED高慢芯片制备枢纽及Micro-LED高慢芯片”的发明专利，肯求公布号为CN118825173A，肯求公布日为2024月10月21日，发明东谈主为封波、喻文辉、彭康伟。

专利选录：本发明提供了一种Micro‑LED高慢芯片制备枢纽及Micro‑LED高慢芯片，制备枢纽包括：在助长衬底上千里积GaN外延层和第一键合金属层；在驱动电路基板名义千里积第二键合金属层后与第一键合金属层键合；去除助长衬底及部分GaN外延层后进行光刻和刻蚀，以形成多少互相独处的Micro‑LED单位；千里积钝化层和N电极层，得到多少独处的发光台面；在相邻的两发光台面之间千里积环形的金属电极，在金属电极与发光台面之间填充含有量子点和纳米荧光粉的粘性光学涂层；制备微透镜阵列后贴合在粘性光学涂层上，以得到方针Micro‑LED高慢芯片。本肯求的Micro‑LED高慢芯片为全彩高慢芯片，发光亮度强、效力高。

旭显异日：得到Micro LED巨量鼎新专利

国度学问产权局信息高慢，旭显异日(北京)科技有限公司得到一项名为“一种MicroLED芯片巨量鼎新安装”的专利，授权公告号CN221885132U，肯求日历为2024年2月。专利可通过在焊盘位置竖立凹下区，并利用磁性吸附的旨趣杀青Micro LED芯片的快速定位安装，可靠性高。

专利选录高慢，本实用新式波及高慢本事规模，具体波及一种Micro LED芯片巨量鼎新安装。一种Micro LED芯片巨量鼎新安装包括Micro LED芯片、鼎新基板和摇动单位;鼎新基板上竖立有焊盘位置，焊盘位置处竖立有凹下区;焊盘位置的其中一个电极具有磁性;Micro LED芯片两个电极具有磁性，其中，Micro LED芯片与鼎新基板换取界说的电极上具有的磁性与焊盘位置上的磁性相背;摇动单位与鼎新基板传动连络并用于摇动鼎新基板，使Micro LED芯片落于凹下区。

旭显异日是一家专科从事Mini/Micro LED高慢屏坐褥本事研发、软件开发、本事事业、系统集成的高新本事企业。在天下范围内布局了五大坐褥基地，折柳位于山东、湖南、江西、安徽、浙江。

溢彩芯光：一种叠层式全彩Micro-LED微高慢安装相配制作枢纽

溢彩芯光科技（宁波）有限公司肯求一项名为“一种叠层式全彩Micro-LED微高慢安装相配制作枢纽”的专利，公开号CN118782599A，肯求公布日为2024月10月15日，发明东谈主为鲍旭源、冯浩贤。

专利选录：本肯求公开了一种叠层式全彩 Micro-LED 微高慢安装相配制作枢纽，属于高慢器件本事规模。包括 CMOS 集成电路板，所述 CMOS 集成电路板上阵列排布有垂直竖立的多少全彩发光单位，所述全彩发光单位包括多少单色发光单位；所述单色发光单位包括蓝光发光单位、绿光发光单位、红光发光单位；所述红光单位由其结构中的绿光氮化镓发光层通电引发发出红光，所述绿光发光单位、红光发光单位由 CMOS 集成电路板驱动发光。本肯求接管电致发光发出的绿光，较电致发光产生的蓝光二次引发绿光量子点发光所糟蹋的能量低，可灵验镌汰器件的功耗，并消释了量子点本人的性能残障问题，幸免反光挡墙刻蚀历程中刻蚀气体对绿光量子点转光层材料的蹂躏。

据了解，溢彩芯光专注于Micro LED微高慢芯片的研发、坐褥与销售，中枢家具为Micro LED微高慢器，具有低功耗、高亮度、高刷新率、高PPI等上风，可无为应用于AR高慢行业，并膨大应用到AR-HUD、矩阵车灯、微投影仪等规模。公司已具备“硅基GaN外延片—钙钛矿量子点材料—Micro LED芯片结构野心—半导体加工”全链条智商。

隆利科技：直下式背光安装及高慢开荒

深圳市隆利科技股份有限公司发公告称，近日收到由国度学问产权局颁发的一 项发明专利文凭，

发明专利《直下式背光安装及高慢开荒》提供一种改善面光源均匀出光的直下式背光安装 ，利用直下式背光的全体结构和反射杯上竖立的透光结构，将从 LED 光源射出的光通过所述透光结构在所述反射杯之间传播，在不加多本钱与出光均匀度的条目下，可灵验地缩减LED光源与光学膜片之间的间距使得背光安装达到薄型化，克服亮暗不均 ( 的问题 杀青均匀的面光源出光，况且提高了光的利用效力。

据了解，深圳市隆利科技股份有限公司深耕背光高慢模组行业，以LED背光高慢模组为依托，拓展Mini-LED、Micro-LED等新本事；在现存业务的基础上，同期向车载、智能穿着、电竞高慢器等规模拓展等。自2016年以来，公司已参加宽绰资金及东谈主力开展 Mini-LED 本事的研发，折柳在 IC 驱动、电路野心、结构、光学以及柔性板封装方面进行了征询和整合。公司的 Mini-LED 本事最初杀青了多个应用规模的本事冲破，依然得胜应用于车载高慢、高慢器以及 VR 等规模。同期，公司布局了行业前沿本事Micro-LED本事，也储备了关连的专利本事，异日公司将持续保抓革命理念，进一步增强公司的竞争实力。